CN1社(韓国)ALD装置
CN1(ALD装置)
革命的なアトミックレイヤーデポジション(原子層堆積法)装置
CN1社のALD(原子層堆積)装置はウェハーの表面でのプリカーサガスのシーケンスリアクションに基づく 精密な薄膜デポジションを行う革命的装置です。
用途
半導体、ディスプレー、ソーラセル、LED、MEMS、光学、バイオ、ナノ及びフレキシブルデバイス等です。 成膜可能な物質は金属、酸化膜、窒化膜、ラミネート、混合材料等です。


革命的なアトミックレイヤーデポジション(原子層堆積法)装置
CN1社のALD(原子層堆積)装置はウェハーの表面でのプリカーサガスのシーケンスリアクションに基づく 精密な薄膜デポジションを行う革命的装置です。
半導体、ディスプレー、ソーラセル、LED、MEMS、光学、バイオ、ナノ及びフレキシブルデバイス等です。 成膜可能な物質は金属、酸化膜、窒化膜、ラミネート、混合材料等です。