Product
1
2

CN1社(韓国)ALD装置

CN1(ALD装置)

革命的なアトミックレイヤーデポジション(原子層堆積法)装置

CN1社のALD(原子層堆積)装置はウェハーの表面でのプリカーサガスのシーケンスリアクションに基づく 精密な薄膜デポジションを行う革命的装置です。

CN1社(韓国)ALD装置

CN1社(韓国)ALD装置

量産用装置:Cluster Type (例)

量産用装置:Cluster Type (例)

量産用装置:Cluster Type (例)

量産用装置:Cluster Type (例)

研究開発用装置

研究開発用装置

CN1社(韓国)ALD装置
量産用装置:Cluster Type (例)
量産用装置:Cluster Type (例)
研究開発用装置

用途

半導体、ディスプレー、ソーラセル、LED、MEMS、光学、バイオ、ナノ及びフレキシブルデバイス等です。 成膜可能な物質は金属、酸化膜、窒化膜、ラミネート、混合材料等です。

この製品・サービスに関する
お問い合わせ
電話でのお問い合わせ
産業機器部 045-540-3205

(受付時間:平日9:00から17:00まで)

メールでのお問い合わせ

お問い合わせフォーム

製品・修理・アフターサポート・保守・資料請求などはお問い合わせフォームよりご連絡ください。

お問い合わせフォーム