CN1社（韓国）ALD装置
アトミックレイヤーデポジション （原子層堆積法）
CN1社のALD（原子層堆積）装置はウェハーの表面でのプリカーサガスのシーケンスリアクションに基づく 精密な薄膜デポジションを行う革命的装置です。
用途
半導体、ディスプレー、ソーラセル、LED、MEMS、光学、バイオ、ナノ及びフレキシブルデバイス等です。 成膜可能な物質は金属、酸化膜、窒化膜、ラミネート、混合材料等です。
量産用装置
Cluster Type (例)
研究開発用装置
CN1社（韓国）ALD装置
CN1社のALD（原子層堆積）装置はウェハーの表面でのプリカーサガスのシーケンスリアクションに基づく 精密な薄膜デポジションを行う革命的装置です。
半導体、ディスプレー、ソーラセル、LED、MEMS、光学、バイオ、ナノ及びフレキシブルデバイス等です。 成膜可能な物質は金属、酸化膜、窒化膜、ラミネート、混合材料等です。
Cluster Type (例)