海外取扱製品
CN1社のALD装置はウェーハの表面でのプリカーサ ガスのシーケンスリアクションに基づく強力な薄膜デポジションを行う革命的装置です。
用途
半導体、ディスプレー、ソーラセル、LED、MEMS、光学、バイオ、ナノ及びフレキシブルデバイス等です。
成膜可能な物質は金属、酸化膜、窒化物、ラミネート、混合材料等です。
■研究開発用装置
■コーティング受託サービス
■Films coated by ALD/CVD
• Thickness uniformity : < 3%
• Metal : Co, Ru, Ti, Ta, etc.
• Metal oxide : Al2O3, HfO2, TiO2, ZnO etc.
• Nitride : TiN, TaN etc.
■Substrates
• Silicon wafer (4”, 6”, 8”, 12”)
• Glass plate (slide glass, Corning glass)
• Sapphire, Alumina
• Polymer
• Metal Sheet