CN1社(韓国)ALD装置

アトミックレイヤーデポジション (原子層堆積法)

CN1社のALD(原子層堆積)装置はウェハーの表面でのプリカーサガスのシーケンスリアクションに基づく 精密な薄膜デポジションを行う革命的装置です。

用途

半導体、ディスプレー、ソーラセル、LED、MEMS、光学、バイオ、ナノ及びフレキシブルデバイス等です。 成膜可能な物質は金属、酸化膜、窒化膜、ラミネート、混合材料等です。

量産用装置

Cluster Type (例)

研究開発用装置

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